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TiN Silicon Wafer 6inch | 전극·확산방지막용 박막 웨이퍼
· 대표판매가
10원
· 공  급  원
해외제조사
· 판  매  처
주식회사 비전랩사이언스
· 연  락  처
032-861-0282
· 리 드 타 임
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TiN Silicon Wafer 6inch | 전극·확산방지막용 박막 웨이퍼

Titanium Nitride Silicon Wafer
 




Titanium Nitride Silicon Wafer는 전극층 및 확산방지막으로 널리 사용되는 TiN 박막을 실리콘 웨이퍼에 코팅한 고기능성 소재입니다. 본 제품은 <100> 결정방향의 6인치 실리콘 웨이퍼에 50nm 또는 100nm TiN 박막을 적용하여, 반도체·MEMS·센서 공정에서 안정적인 전기적 특성과 내구성을 제공합니다. Single Side Polished 표면과 Ra < 0.5nm의 초평탄도로 미세패턴 및 박막 공정 시 공정 신뢰성을 높였으며, P-type / N-type 선택 및 저저항 옵션 제공으로 다양한 연구 및 양산 테스트 환경에 유연하게 대응합니다.


 


 


반도체 전극·배리어 공정 

 

Titanium Nitride 박막은 우수한 전기전도성과 확산 방지 특성을 제공하여 금속 전극 및 배리어 레이어 공정에 최적화되어 있습니다.



 

MEMS·센서 공정

 

초평탄 표면(Ra < 0.5nm)과 <100> 결정방향으로 미세 패턴 공정 안정성이 요구되는 MEMS 및 센서 제작에 적합합니다.

 

저저항 공정

 

<0.05 Ω·cm 옵션 선택 시 저접촉저항 공정에 유리하여 고성능 소자 제작에 적합합니다.

 

연구·파일럿 테스트

 

6인치 대면적 웨이퍼와 50nm / 100nm 선택형 TiN 박막으로 다양한 공정 조건 테스트 및 연구개발(R&D)에 활용 가능합니다.



 

제품명 Titanium Nitride Silicon Wafer
웨이퍼 직경 6 inch
웨이퍼 두께 0.625 mm
결정방향 <100> ±0.5°
도펀트 타입 P-type 또는 N-type
TiN 박막 두께 50 nm 또는 100 nm
표면 상태 Single Side Polished (SSP)
표면 거칠기 Ra < 0.5 nm
비저항 < 0.05 Ω·cm 또는 1~100 Ω·cm
포장 단위 3 pcs / pk
적용 공정 전극층, 확산방지막, MEMS, 센서
납기 재고 소진 시 발주 후 3~4주








 
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