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실리콘 웨이퍼의 Ta/SiO2/4 위의 Cu필름, Cu Film on Ta/SiO2/ 4in Silicon Wafer, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped
· 대표판매가
10원
· 공  급  원
해외제조사
· 판  매  처
주식회사 비전랩사이언스
· 연  락  처
032-861-0282
· 리 드 타 임
재고/예정재고가 없을시 약 2026-01-21일 납품가능 합니다.
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실리콘 웨이퍼의 Ta/SiO2/4 위의 Cu필름

Cu Film on Ta/SiO2/ 4in Silicon Wafer,
Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped




 


사양:
 

  • Cu코팅 Si웨이퍼 (4인치사이즈)
  • 고배향 다결정 Cu 막의 두께: 400 nm
  • Ta 확산 차단막의 두께: 50nm
  • 4인치다이아 x0.525mm두께 Si웨이퍼 (프라임등급) 열산화물 포함 : 300nmthk
  • P타입, B도핑, 배향, SSP
  • 저항률: 1-20옴-cm
  • 표면 거칠기: 성장에 따라 해당 없음
  • 패키지 : 1000등급 클린룸 1개 100등급 비닐봉투




 
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